Modelando o impacto de efeitos transientes causados por radiação em portas lógicas CMOS

Abstract

Neste trabalho é proposto um modelo elétrico para a simulação de SETs com complexidade semelhante aos dois modelos citados, mas sem as limitações de condição de operação mencionadas. O resto desse resumo se divide como segue. Na seção 2, é apresentado o modelo proposto. Na seção 3, são mostrados resultados de simulações SPICE baseadas nos modelos de Messenger (1982), Black (2015) e o modelo proposto neste resumo. Na seção 4, são apresentadas conclusões a respeito do modelo e possíveis aplicações nas quais a utilização dele se faz necessária.